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Sanrise release high performance TTMOS™

TTMOS (Tri-Trench MOSFET---三沟槽MOSFET) 是尚阳通科技新推出的新型功率半导体器件系列产品,涵盖了40V~150V的中低压MOSFET。TTMOSTM为采用电荷平衡原理设计的屏蔽栅MOSFET,TTMOS器件第一个深沟槽作为“体内场板”在反向电压下平衡漂移区的电荷,可大大降低漂移区的电阻率,从而降低器件的比导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg),100V TTMOSTM与普通沟槽MOSFET相比,比导通电阻(Rsp)降低40%以上,FOM (Rdson*Qg)降低50%以上。第二个源极沟槽为有源区接触沟槽电极,该设计能减小Cell尺寸和提高器件高温、大电流能力,同时提高器件雪崩耐量。第三个栅极沟槽为栅极接触电极,该设计能简化TTMOSTM器件工艺流程,降低产品生产成本。

尚阳通TTMOSTM屏蔽栅Power Trench MOSFET能够使电源、电机驱动、同步整流和其它应用极大的提高效率、降低电压震荡并减弱电磁干扰(EMI)。相对于国内同类产品,尚阳通TTMOSTM取得重大进步,从能效到可靠性,新一代TTMOSTM系列产品在各个性能类别表现几乎都优于竞争对手,在国内处于领先水平。TTMOSTM系列中80V-150V系列产品已经发布,40V-60V于近日即将发布上市,该系列产品具有多种封装和参数选择:



表1 尚阳通TTMOS产品系列选型表
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表2 尚阳通100V TTMOS与同类产品参数对比表
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图1 尚阳通TTMOS器件Cell结构及电场分布优化示意图

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图2  TTMOS与竞争样品开关过程比较

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